К 2010 году будут созданы терабайтовые модули памяти

Калифорнийская компания Nanochip объявила о планах разработки чипов памяти нового поколения, которые будут отличаться невероятным объемом в 1 терабайт.

Такого прироста вместительности планируется достичь с помощью фазопеременных носителей в сочетании с системой головок чтения-записи на кронштейнах, управляемых посредством микроэлектронно-механической системы. По сути, чип памяти будет функционировать подобно жесткому диску, однако на основе традиционных интерфейсов DRAM. Состоящие из фазопеременных носителей битовые ячейки будут сгруппированы в скопления, а над ними будут парить микроэлектронно-механические системы, производя операции чтения и записи. Ячейки будут иметь ширину около 2–3 нанометров, однако первые опытные образцы будут состоять из ячеек размером 15 на 15 нанометров и обеспечивать объем памяти до 100 Гб на один чип.

Nanochip планирует создать первые опытные образцы к 2009 году, а массовое производство может начаться уже в 2010 году. Калифорнийская компания также прогнозирует, что объем подобной нанопамяти будет удваиваться каждый год без необходимости уменьшения технологического процесса. Рост объемов будет осуществляться за счет совершенствования носителя и технологии микроэлектронно-механических систем головок в сторону увеличения точности.

«Технология Nanochip позволяет создать память многократно большего объема в сочетании с лучшим соотношением объема к стоимости в сравнении с технологией флэш», – говорит Кит Ларсон (Keith Larson), вице-президент и директор по производству Intel Capital.

Компания Nanochip работает в тесном взаимодействии с такими гигантами ИТ-индустрии, как Intel и Microsoft.

Softpedia